【摘 要】
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随着激光技术的飞速发展,人们发现掺杂过渡金属离子(简称TM2+)的Ⅱ—Ⅵ族主体材料(ZnSe、ZnS、ZnTe和CdSe等)具有较佳的中红外特性,是大气环境监测、激光遥感、光通信、人眼
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随着激光技术的飞速发展,人们发现掺杂过渡金属离子(简称TM2+)的Ⅱ—Ⅵ族主体材料(ZnSe、ZnS、ZnTe和CdSe等)具有较佳的中红外特性,是大气环境监测、激光遥感、光通信、人眼安全探测系统、神经外科、高分辨率光谱学、激光雷达、光学参量振荡OPO的理想光源。本论文从实验和理论两个方面研究了中红外波段ZnSe晶体的制备及其性能表征。在实验方面,首先研究了ZnSe多晶的合成过程,然后采用真空热扩散法制备了Tm2+(Cr2+、Fe2+、Co2+、Ni2+)离子掺杂的ZnSe晶体材料。在理论方面,通过对比Tm2+离子单掺的光谱图,分析了过渡金属离子在ZnSe能带中的能级情况,给出了每一个离子所对应的能级模型,并对其进行了简化。基于以上研究的基础上,进一步开展了Cr2+/Fe2+、Cr2+/Ni2+双掺的研究工作,通过对比每种离子的单掺与双掺的光谱特性,来分析两种离子之间的能量转移机理。
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