红外探测器在军事和民用、医疗、安全防卫等领域应用非常广泛,成为各国高科技成像追逐的热点,尤其是近年来对采用光学读出系统同时选用微悬臂梁结构焦平面阵列的红外成像技术做了多项研究。本文提出的是一种使用光学读出方式的热型红外探测系统,其中红外探测器件是基于双材料的热机偏转原理设计出一种微悬臂梁结构的探测敏感单元。文中重点对氮化硅薄膜进行了应力特性和红外特性方面的研究,同时研究了红外探测器件的制作工艺。获得主要结果如下；1)设计基于双材料梁热机偏转的红外探测器件：以K9玻璃为基底,器件阵列为120×120,单元尺寸为40μm×40μm。红外探测器件的结构较简单,增加了反光板的面积和红外辐射的吸收面积。2)研究氮化硅薄膜的应力特性、红外吸收特性和刻蚀特性：实验中改变PECVD的射频功率、反应压强等工艺参数,氮化硅薄膜表现出不同的应力。薄膜厚度约为600nm时,压应力的最小值是65MPa;调整PECVD射频功率、反应时间等工艺参数,氮化硅厚度约600nm时,薄膜的相对吸收强度最大约为4.0；调整ICP的功率、反应压强等工艺参数,薄膜最大刻蚀速率达到14.5nm/s, Si3N4/EPG533最大刻蚀选择比接近4.25。3)研究探测器件的制造工艺：采用光刻技术、磁控溅射技术和PECVD技术、ICP刻蚀技术等多种MEMS工艺分别制备牺牲层、反光层和红外吸收层。实验中最佳工艺参数为：制备金膜层时,溅射功率80W,氩气流量85mL/min,气压1Pa；制备氮化硅薄膜时,PECVD沉积温度250℃C,射频功率180W,反应压强60Pa, SiH4流量40mL/min, N2流量60mL/min;刻蚀氮化硅薄膜时,ICP功率300W、偏压功率70W、反应压强30mTrr、SF6流量30mL/min、O2流量13 mL/min。