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PLZT、BST铁电薄膜具有良好的光学、电学和电光性能,因而在光波导、电光开关等方面具有广阔的应用前景。本文完成了PLZT靶材配方研究及靶材制备,用射频磁控法制备了PLZT薄膜;探讨了PLZT薄膜与ITO透明电极的兼容性;研究了不同退火温度对薄膜透射率、折射率和消光系数等光学性能的影响;由消光系数得出了PLZT薄膜禁带宽度,并比较了不同退火温度下禁带宽度的差异;分析了BST薄膜残余应力,通过XPS方法比较了BST薄膜与靶材成分的差异以及各元素的结合能态,比较了Si、SiO2衬底和Ba0.6Sr0.4TiO3、Ba0.8Sr0. 2TiO3配方对光学性质的影响。实验结果表明:PLZT(8/65/35),添加2mol %过量Pb3O4,预烧温度910℃,烧结温度1100℃,钙钛矿结构完整,结构致密,电滞回线矩形度高,剩余极化强度达到30μC/cm2,矫顽场强约为9 kV/cm,居里温度约150℃。沉积在石英玻璃衬底上的PLZT薄膜,透过率在可见光范围内达到80 %左右,折射率随波长增加而降低,退火温度越高,对应较大的折射率系数n和消光系数k。在550,580,620,650℃退火温度下禁带宽度分别为3.62,3.58,3.55,3.51eV。温度升高,薄膜禁带宽度降低。BST薄膜残余应力表现为张应力且随着薄膜晶化温度升高,薄膜的晶粒变大,残余应力呈变大的趋势。BST薄膜XPS分析中,不同刻蚀深度薄膜的原子相对百分比差异不大,和靶材配方Ba0.5Sr0.5TiO3的成分差异很小,薄膜中(Ba+Sr)/ Ti>1。BST薄膜在可见光范围内透射率约83%左右,透射率受薄膜组分的影响。BST薄膜折射率系数随波长增加而降低,折射率、消光系数等参数受基片、薄膜组成影响大,沉积在SiO2衬底上薄膜折射率高于沉积在Si衬底上BST薄膜折射率。