开关电器的电触头承担着通断电路的任务,其可靠性决定着电路能否稳定运行,而可靠性又与材料的导电性能、导热性能和机械性能等方面息息相关。为了提高触头材料的导电性能,众多学者通常采取对SnO2晶体掺杂稀土元素的办法研究掺杂对AgSnO2触头材料导电性能的影响,发现经合理掺杂后的材料禁带宽度变小,载流子由价带激发到导带所需的能量减少,使得SnO2晶体的导电性能有较大提升。本文在此基础上,也采取单掺、共掺稀土元素的方法对SnO2晶体进行掺杂改性。首先对掺杂前后的晶胞结构进行优化计算,然后对比、分析掺杂后对AgSnO2触头材料导热行为的影响,进而在理论上得到导热性能较好的晶体,指导实验的研究。由于众多学者的研究发现,不同浓度La、W元素的掺杂可有效提高材料的导电性能,因此为本文掺杂元素的选取提供了指导。本文首先对未掺杂（0%）及单掺四种不同浓度的La（12.5%、16.7%、25%、50%）元素及两种共掺浓度La-W（16.7%、25%）的SnO2晶体结构进行第一性原理计算,通过结构优化和能量计算得到SnO2晶体的声子谱、声子态密度、分波态密度及相关热学参量等结果。通过分析声子谱计算结果得出,单掺情况下,对比四种浓度La元素和未掺杂体系的声子谱,浓度为25%的La掺杂后SnO2材料较为稳定;共掺情况下,La-W（16.7%）共掺得到的SnO2材料较稳定;分析声子态密度图及分波态密度图可以得到,体系中掺杂的原子与原有体系中的原子具有较强的耦合作用,即掺杂可以有效地改变原有原子的活性,使参加热运动的分子数量发生改变;通过SnO2晶体热力学性质的分析,掺杂使SnO2晶体的熵、自由能及焓发生改变,从而影响了晶体在恶劣环境下的恢复能力,并对材料热导率的大小产生了较大的影响,并对各掺杂体系进行导热性能仿真研究。采用溶胶-凝胶法制备了七种SnO2晶体粉末并对粉末进行了XRD试验,验证了掺杂原子可以成功进入SnO2晶胞内形成固溶体,即掺杂不会改变SnO2晶体的结构。并通过粉末冶金法将凝胶SnO2粉末与Ag粉混合制备AgSnO2触头材料,对制得的触头材料进行燃弧性能的测试,得到的实验结果可以验证仿真计算结果的准确性。