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半导体光催化由于其在经济性与环保性上的独特优势因此被广泛认为是解决能源和环境问题的一种非常有前途的策略。目前,大比表面积纳米结构的制备、半导体异质结构建以及半导体材料的表面修饰是提高半导体材料光催化性能的三个最基本的手段。本文以石墨相氮化碳(g-C_3N_4)为研究对象,采用热剥离蚀刻、化学浸渍、光化学沉积等方法,制备出了g-C_3N_4纳米片、Ag/g-C_3N_4复合光催化剂、Bi_4O_7/g-C_3N_4复合光催化剂、Ag/Bi_4O_7/g-C_3N_4纳米片复合光催化剂,并对相应材料做出