随着MOSFET器件尺寸的进一步缩小,由于沟道长度的缩短而引起的短沟道效应对器件的影响随之增加,抑制器件短沟道效应从而提高器件性能就显得十分重要。在查阅国内外相关文献资料的基础上,通过对MOS器件工作原理的深入分析,本文提出了一个由三种不同栅材料构成的新型异质栅MOS器件。采用二维器件模拟软件ISE-TCAD的Mdraw模块建立了三异质栅MOS器件结构;并用ISE-TCAD的Dessis模块对所提出器件的输出特性曲线、亚阈值电压、沟道电势随漏端电压Id变化曲线的性能进行了仿真模拟。仿真结果表明:本文所提出的三异质栅器件的导通电流比传统MOS器件高了1倍,比传统的双栅异质栅器件提高了5%,说明该器件可以在不牺牲泄露电流的情况下获得较大的导通电流。沟道电势与漏端电压Id变化曲线模拟结果显示三异质栅器件的漏致势垒降低(DIBL)效应较小;阈值电压漂移曲线表明在栅长大于150nm的情况下,三栅异质栅器件有着良好的抑制阈值电压漂移的能力。