近年来,随着科技的不断发展与进步,铟锡合金(In-Sn)作为一种制备透明导电氧化铟锡膜(TCO)的重要材料,已被应用于航空、航天、电子等技术领域。铟锡合金薄膜的制备与其它普通合金薄膜的制备大同小异,但目前有关铟锡合金薄膜择优取向生长的制备方法和其性质研究的报道还没有。因此,对铟锡合金薄膜的制备、生长机理以及光电性能的研究,在未来半导体等各方面应用市场具有重要意义。另外,铟锡合金薄膜除了上述特性外,在本研究工作中还表现出另一特性—局域表面等离子体共振(Localized Surface Plasmon Resonance,LSPR)。但值得一提的是,许多金属(例如:锂、钠、铝、铜等)也具备该种特性并至少在紫外-可见-近红外光区域的某一部分表现出LSPR特性;其中就包括铟锡合金,但目前关于铟锡合金的LSPR的研究工作仍未见报道。因此,本文开展了具有针对性的研究,首先探究铟锡合金的制备方法及工艺条件,然后以铟锡合金薄膜为研究基础,探究其复合薄膜的光电性能并研究LSPR特性,这将对LSPR的新材料探究起到重要作用。具体结果如下:(1)蒸镀若干同等厚度的In-Sn合金薄膜;结合电子束辐照技术,在同样的辐照功率下,通过改变不同的辐照时间进行诱导,In-Sn薄膜表现出LSPR特性,其表面的拉曼强度也逐渐增强。(2)采用ITO作为介质层制备ITO/In-Sn双层复合薄膜,实现LSPR特性的调制作用。结果发现当ITO厚度不变时,随着In-Sn底层厚度的增加,LSPR共振波长产生红移;且每组实验中,随着ITO膜厚的增大红移更加明显。(3)结合电子束辐照技术,镀制Au/ITO双层薄膜和ITO/Au/ITO三明治结构薄膜,结果发现,经辐照后的复合薄膜透过率均有明显提升,这是由于Au纳米颗粒的LSPR减弱导致的。