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LaNiO3薄膜不仅具有良好的导电性能，而且与PZT等铁电材料具有相近的晶体结构和热膨胀系数，因而被认为是理想的铁电电极材料。在具有晶体取向性的LaNiO3薄膜衬底上制备PZT等铁电薄膜，还有可能获得c轴取向的铁电薄膜（如PZT、BST等），从而提高铁电薄膜的极化性能。该研究拟采用溶胶-凝胶法制备LaNiO3薄膜，研究其取向性生长方法及导电性能。进而将其作为底电极和模板，探讨在其上外延生长PZT铁电薄膜的可行性及其对铁电性能的影响。 首先，通过添加化学络合剂丙烯酸将硝酸镧、醋酸镍溶解于乙二醇甲醚中合成了性能稳定的LaNiO3溶胶。研究了热处理工艺参数对LaNiO3薄膜微观结构和性能的影响，在最佳热处理参数条件下，即经400℃热分解30min，再经750℃纯氧气氛下晶化处理60min制备出的LaNiO3薄膜，具有良好的导电性能，其室温电阻率为8.7×10-4Ω·cm。 其次，研究了单晶硅衬底上取向性LaNiO3薄膜的制备方法，并探讨了取向性LaNiO3薄膜生长的潜在机制。结果表明，采用快速热处理的方法可在单晶硅衬底上制备出高度(100)取向生长的LaNiO3薄膜，其(100)择优取向度高达96％; LaNiO3薄膜的择优生长与单晶硅衬底的晶向没有关系，而与由快速升温引起的外来应力有关，这种外来应力为(100)取向晶粒的形核生长提供了有利条件。 以AcAcH、BzAcH为化学修饰剂合成出了具有紫外感光特性的Ni/AcAcH、Ni/BzAcH金属螯合物结构。以这种感光的螯合物为前驱体制备的LaNiO3薄膜具有紫外感光性，利用这一特可以获得与掩模负像一致的LaNiO3导电薄膜的微细图形。 进一步，采用溶胶-凝胶法在LaNiO3薄膜电极上制备PZT铁电薄膜，并研究了不同取向的LaNiO3薄膜对PZT铁电薄膜生长取向和极化性能的影响。结果表明，LaNiO3薄膜的晶粒取向对PZT薄膜形核生长具有一定的诱导作用，在高度(100)取向的LaNiO3薄膜上可制备出(001)择优取向度高达96.7％的PZT薄膜，其剩余极化强度较随机取向的PZT薄膜有了很大幅度的提高，接近外延生长的PZT薄膜的剩余极化强度。