有机材料忆阻器和光电探测器的构建及特性研究

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近年来,具有各式各样结构和功能的新型材料不断出现,且得到了快速发展和广泛应用,其中取得显著进展的是有机材料的应用研究。有机材料具有种类繁多、制备工艺简单、成本低和柔性等优点。其功能薄膜广泛应用于光致发光、信息传输、记忆存储、光电探测等领域。本文主要研究了不同有机材料在忆阻器和光电探测器方面的应用。按照有机材料的特性和应用领域,将本论文主要研究内容分为以下两部分:第一部分是铁电共聚物P(VDF-Tr FE)的忆阻特性研究。采用旋涂技术制备了基于P(VDF-Tr FE)的忆阻器,并对器件的电流-电压特性进行了测试。结果表明:该器件具有良好的双极电阻开关特性,具有较低的开关电压(3/-2.7 V)、较高的开关电阻比(103)及较快的开关速度。基于铁电材料固有的自发极化特性,建立了铁电薄膜导电通道模型,给出了电导率与平均极化强度之间的线性关系。电导-电压(G-V)曲线的计算结果与实验结果一致,说明我们给出的铁电薄膜导电通道模型较好的描述了该器件的传导机制。第二部分是石墨烯/BUBD-1有机异质结构的光电性能研究。利用石墨烯作为生长模板,通过简单的热蒸发技术,在其表面直接组装高有序的BUBD-1分子,构建了一种基于石墨烯/BUBD-1有机异质结构的宽带光电晶体管,探测范围覆盖紫外-可见光波段(375-658 nm)。有机分子中有效的界面电荷转移、较强的光-质相互作用以及长寿命的陷阱态使其光响应度达到了106A/W。器件较快的上升时间(~5 ms)得益于光激发下快速的界面电荷转移。衰减时间较慢(~500 ms),主要归因于不同陷阱深度的电子陷阱,因为它们在有机材料中有较长的电荷去俘获时间,从而导致响应速度较慢。
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