前人虽然对外加电场下量子阱线中的杂质态做了较为详细的讨论,但是他们所选取的矩形量子阱线仅仅局限在无限深的情况.在前人工作的基础上,我们在有效质量近似下讨论了外加电场下有限深方形GaAs/Ga<,0.63>Al<,0.37>As量子阱线的杂质态和杂质的Stark能够,并把我们的结果与前人的结果进行了比较.另外,我们还讨论了施主离子位于不同位置的情况及结构的不对称和质量不匹配对Stark能移的影响.在不考虑有效质量不匹配的条件下得出如下结论:(1)外加电场下电子第一能级的能量降低.(2)当施主离子位于势阱中心时,杂质的束缚能随着电场强度的增大而减小.(3)当施主离子位于势阱中不同位置时,零电场下量子阱线中的杂质态是关于施主离子位置中心对称的简并态,在外加电场作用下发生能级分裂,这种简并不再存在;杂质的Stark能移由于施主离子位置的不同表现为红移或蓝移.(4)相同电场的作用下,量子阱线具有不同的长宽比时,杂质的Stark能移明显不同,而且电场越强这种结构的不对称性的影响越大.有效质量失配对杂质Stark能移的影响不显著.