论文部分内容阅读
钛酸锶钡(BST)系薄膜由于其在IC-Capacitors,VLSI-DRAMs、FRAM等电容存储器,红外热释电成像器件等诸多领域的潜在应用价值,成为目前国内外铁电薄膜研究的热点。本文采用Sol-Gel工艺,在Pt/TiO_2/Si和ITO/Glass不同衬底上成功的制备了呈钙钛矿四方相结构,室温下具有优良铁电、介电性能的BST薄膜。讨论了热处理工艺参数,底电极材料,Ba、Sr组分比三个基本因素对Ba_xSr_(1-x)TiO_3薄膜电学性能的影响。另外,采用化学修饰的Sol-Gel工艺,制备了感