在浸没式光刻中，折射率大于1的液体被引入光刻机透镜和硅晶片之间的空隙内，这样光刻机的透镜便可以获得更大的数值孔径，从而提高了系统的分辨率。由于引入的浸没液也成为透镜的一部分，所以任何会影响到浸没液光学性质的情况都必须进行研究以保证浸没液具有高度均匀和稳定的光学性质。本文针对浸没场的流动特性着重研究了浸没系统结构参数、硅晶片非定常拖动以及曝光过程中的光热效应对浸没场流动的影响。主要研究内容及成果如下：通过构建浸没流场数学模型推导出流场的理论流量和速度分布并与数值仿真模拟结果进行对比，验证了浸没场速度理论计算式的准确性。通过构建定常流场模型研究了浸没系统的出入口的宽度、倾角以及环向张角对浸没场的流速分布和流量的影响。最终获取浸没液进行稳定流动所需的最佳结构参数。研究目前主流光刻机所采用的步进-扫描式硅晶片运动对浸没场的流动影响。首先推导出硅晶片非定常拖动下浸没场速度分布的精确解，通过和数值仿真结果进行对比验证了理论推导结果的正确性。采用理论推导出的浸没流场速度分布公式研究硅晶片的非定常运动对步进-扫描式曝光系统流场流动的影响。建立步进-扫描式系统的三维浸没流场，分析了步进速度对浸没场流动的影响。使用数值仿真软件模拟单个芯片曝光过程中的流场局部光热效应，研究硅晶片在静止、定常拖动、非定常拖动时的浸没流场曝光区域的温度不均匀程度以及加热层厚度，得出硅晶片运动对曝光区域温度分布的影响规律。此外，还研究了外加压强和硅晶片拖动联合作用对曝光过程中浸没流场温度分布和加热层厚度的影响。