半导体纳米ZnS 量子点有尺寸依赖的光电特性,具有广阔的应用前景。本文介绍了一种采用了胶体化学合成方法,并结合表面修饰工艺的ZnS 纳米量子点合成技术。采用醋酸锌与TAA 为反应先驱物,硫代丙三醇为表面修饰成分,在水溶液中低温合成了粒径在2-3nm 左右的纳米ZnS 量子点。采用水/异丙醇的溶性/非溶性溶剂组合对ZnS 纳米样品进行尺寸选择性沉淀,从反应原液中一次性分离出颗粒尺寸大小不同的四个ZnS 纳米量子点样品,纳米量子点样品的单分散性得到了明显的改善。采用TEM、XRD 和紫外-可见光吸收光谱等测试手段对合成的半导体纳米ZnS 量子点进行了结构与特性表征。结合TEM 和吸收谱测试结果,从实验上验证了紧约束模型(tight-binding framework)对于纳米量子点(粒径小于5nm)描述的有效性。纳米样品的特征吸收峰最大蓝移到261.8nm (Eg=4.75eV,而块状ZnS的Eg=3.66eV),能级展宽达1eV 以上,表现出明显的量子尺寸效应。本工艺合成的ZnS 纳米量子点在水中的溶解度大于0.1M,表现出表面修饰技术带来的高的可分散度(可溶性)。论文首先介绍了课题的研究背景;第二章对纳米量子点的胶体化学制备法进行了说明,重点分析了表面修饰技术和尺寸选择性沉淀工艺的原理;第三章对具体的实验过程进行了详细的阐述;第四章结构与特性的表征;第五章尺寸选择的实现;第六章结论与展望。