量子点发光二极管（quantum light-emitting diodes,QLEDs）由于其高稳定性、高色彩饱和度和良好的溶液加工性等优异特性,在下一代显示和照明应用中展现出巨大潜力。目前,有机物PEDOT:PSS为最广泛应用于QLEDs空穴注入层（HIL）的材料,但该材料存在对水氧敏感、热稳定性差、其酸处理工艺对ITO电极具有腐蚀等缺点,影响其在QLEDs器件中的应用。氧化镍（NiO）作为一种具有高电离电位的本征P型宽带隙半导体,具有优异的光学透过率和化学稳定性,且其独特的电子结构具有有效的空穴传输和电子阻挡特性,本论文以NiO作为HIL制备高效QLEDs器件,开展以下研究工作:（1）基于溶胶-凝胶法NiO空穴注入层的QLEDs器件制备及性能研究。配置NiO前驱体溶液并旋涂成膜,对退火处理的NiO薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征。制备了NiO为HIL的绿光QLEDs器件,研究了NiO薄膜对器件性能影响。优化器件结构,QLEDs器件开启电压为2.3 V,最大亮度达249197cd/m2,最大电流效率为31.28 cd/A,外量子效率为7.31%。（2）基于溶液法合成NiO纳米片空穴注入层的QLEDs器件制备及性能研究。对退火处理的NiO纳米片薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征,薄膜在可见光区域内透过率高达98.76%,远优于PEDOT:PSS。制备了NiO纳米片为HIL的绿光QLEDs器件,研究了NiO纳米片薄膜对器件性能影响。基于最优参数NiO纳米片的QLEDs器件开启电压为3.3 V,最大亮度为39427 cd/m2,最大电流效率为24.31 cd/A,外量子效率为6.10%。（3）利用Mg掺杂NiO纳米片提高空穴注入能力,进而提升QLEDs器件性能。采用溶液法制备了Mg掺杂的NiO纳米片并对其特性进行表征。通过Mg掺杂,纳米片粒径变小,薄膜平整度提升,薄膜在可见光区域内透过率高达99.08%。研究Mg掺杂量对器件性能影响,当Mg掺杂量为15 mol%,基于Mg:NiO纳米片HIL的红、绿QLEDs器件开启电压分别为2.8 V和2.3 V,最大亮度分别为71054 cd/m2和329602 cd/m2,最大电流效率分别为12.07 cd/A和44.4 cd/A,外量子效率分别为11.61%和11.9%。结果表明,Mg掺杂可大幅提升NiO纳米片的空穴注入能力。此外,在PET柔性衬底上制备了绿光QLEDs器件,其最大亮度、最大电流效率和外量子效率分别为32658 cd/m2、28.46 cd/A及6.76%。