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如今,波长范围在350-280nm的紫外发光二极管的应用范围越来越广,特别是350nm的紫外发光二极管已经应用在了许多的领域,比如环保、医疗装置等等各个领域。然而,由于量子效率非常的低,和InGaN基的近紫外或者蓝光二极管相比,350nm的紫外发光二极管的发光效率非常的低。因此,如何有效的提高紫外发光二极管的发光效率有着重要的应用意义。本文通过对紫外发光二极管的发光机理的分析,并将紫外发光二极管同其它半导体发光二极管进行对比,发现由于蓝光波长远远大于362nm（GaN的Bandgap）,因此蓝光二极管并不存在内部吸收问题。这就说明,内部吸收问题极大地影响了紫外发光二极管的发光性能,这也就是紫外发光二极管的性能大大低于近紫外和蓝光二极管的原因。而相关研究表明,若在其中置入分布布拉格反射器则可较大程度上提高其出光效率和发光亮度。因此,本文的主要工作内容如下:（1）全面了解掌握布拉格反射器在发光二极管中的应用概况,并从理论上分析了通过将分布式布拉格反射器应用于紫外发光二极管中可以有效抑制内部吸收,从而获得较大输出能量的原理及方法。（2）深入研究了DBR膜层的折射系数与掺Al浓度及波长之间的关系,得出了在AlxGa1-xN中Al的含量越高（x越大）,波长越大,膜层的折射系数（n）越小的结论。（3）定量分析了决定DBR系统性能的几个主要因素之间的关系,即:A.膜层禁带宽度Eg与膜层材料中Al的摩尔浓度之间的关系B.室温下折射系数与Al的摩尔浓度之间的关系C.膜层禁带宽度Eg与温度之间的关系D.折射系数与温度之间的关系（4）验证了室温（ T = 300K ）下AlxGa1-xN的折射系数（n）同Al的摩尔浓度（x）关系式（B）的可靠性和实用性,说明了该关系式可以用于常温下若已知AlxGa1-xN中Al的摩尔浓度,可求得AlxGa1-xN的折射系数的计算之中。