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近年来，随着通信技术的不断提高、通信协议的不断完善、通信市场需求的不断扩大，射频集成电路的应用和研究得到飞速发展。CMOS射频集成电路以其成本低、功耗小、集成度高的特点更是成为微电子研究和开发的热点。
文章重点设计了一个工作在5GHz频率处的LC差分负阻压控振荡器。电路基于TSMC（台积电）0.18μm CMOS工艺，采用积累型MOS变容管构成的LC互补交叉耦合振荡网络和降低相位噪声的电感电容滤波网络组建，电路实现了全片集成。在1V电源电压下经ADS2005A软件仿真，获得频宽为4．268GHz～5．582GHz、调谐范围为26．3％、灵敏度为525MHz/V、相位噪声在1MHz频率偏移处为-122．4dBc/Hz、静态功耗约3.5mW的较好结果。
文章还重点设计了一个工作在2．4GHz频率处的E类开关模式功率放大器。电路基于TSMC0.18μm CMOS工艺，采用增益驱动级、功率输出级以及相应的阻抗匹配网络构成的两级结构组建，并通过Load-Pull技术获得最佳输出负载，电路实现了全片集成。在2V电源电压下经ADS2005A软件仿真，当输入信号功率为-10dBm时，获得约20．1dBm的输出功率，功率增益为30dB，功率附加效率达到57．69％的较好结果。