传统的功率MOSFET可靠性检测方式一般采用电压、电流等电气参数作为检测指标。近年来新兴检测手段包括芯片结温、热阻抗以及巨磁阻场等手段也发展迅速。对于功率MOSFET健康状态的有效监视,亟需满足可靠、快速、非入侵的要求,而基于声发射技术手段理论上能够满足其要求。新兴的声发射技术手段为提高功率MOSFET的可靠性指明了一种新的方向。本文首次采用声发射技术手段对功率MOSFET状态开展研究,初步分析了声发射现象的产生、信号的传播过程,并采用低压开关试验进行机理验证,同时对信号进行处理并分析。首先根据功率MOSFET器件的封装结构,从微观上对声发射现象产生到传感器捕获的过程进行分析。从介绍功率MOSFET开关过程使用的测试电路板到展示搭建的检测系统。在采用声发射断铅标准试验对声发射系统进行测试后,对MOSFET开关过程中的声发射信号在线捕获。接着将标准断铅声发射信号与电磁声发射信号进行对比,并采用多种信号方法处理,并建立时域、频域特征参数与功率MOSFET电气参数之间的联系。可以发现电磁声发射信号由低频弹性波和高频电磁波复合组成,经过时频域分析,时域信号中的漏极电流出现时的开通脉冲峰值与漏源电压Vds值呈强线性关系。短时傅里叶变换的时频图可清晰的观察到由漏极电流而产生高频电磁波的时刻,发现高频成分主要范围分布在2MHz-3MHz。时域信号的幅值与栅源电压Vgs值呈强线性关系,同时可以用频域波形155k Hz频率段的峰值与栅源电压Vgs值建立线性关系,且漏源电压Vds影响幅频特性曲线。采用Hilbert变换对低通处理后的信号绘制包络线,发现相同栅源电压条件下的声发射信号具有几乎相同的波形包络。并且采用变分模态分解算法,当满足最优模态数K时,发现相同栅源电压条件下的具有一个几乎完全一致的模态分量。最后通过接近功率MOSFET额定电压进行试验,将试验中监测到功率MOSFET损坏时的电磁声发射信号与健康状态时的信号进行对比,发现损坏时低频波形杂乱,不同于健康状态下波形,可以发现频域上与健康状态下高频成分差别较大。初步证明声发射技术对功率MOSFET进行健康监测具有应用前景。文章通过研究功率MOSFET在开关测试条件下捕获的电磁声发射信号,建立了功率MOSFET电气参数与电磁声发射信号特征参数之间的联系,并且在试验中对比了健康和损坏状态时功率MOSFET产生的电磁声发射信号。为采用声发射技术检测监测功率MOSFET状态提供初步技术指导,为评估电力电子可靠性提供一种新思路。