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砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料，广泛应用于射频微波领域。GaAs材料具有较宽的禁带、高载流子漂移速度等许多优点，具有广阔的应用领域。在微波功率器件中，GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的应用比较成熟，但是对于微波大信号的研究，一直是人们关注的问题，也是难度较大的问题。本文就要对GaAs MESFET射频大信号特性进行研究。本文首先建立了GaAs MESFET小信号模型，提出了模型参数提取方法。在小信号模型的基础上，建立GaAs MESFET的大信号等效电路模型，引入非线性模型及模型参数提取方法。然后，提出了GaAs MESFET大信号物理模型，进行模拟结果与实验数值比较，得到了较为满意的结果。本文还提出了查表插值法来解决大信号模拟问题。本文为设计射频功率GaAs MESFET放大器提供一定的理论指导，为GaAsMESFET的大信号的研究提供一定的基础。