有机电致发光器件(OLED)是继等离子显示技术和液晶显示技术之后新一代的平板显示技术,具有主动发光、能耗小、结构简单、快速响应等优点,引起了全球科研工作者的高度关注,但OLED目前仍存在一些问题使其未得到大范围普及,器件效率、稳定性以及寿命等问题。电极材料在器件的工作中扮演着重要的角色,目前应用最为广泛的OLED电极材料为氧化铟锡(ITO),其具有高达90%的可见光透过率,导电性能优秀等优点。由于常用有机材料一般具有高HOMO能级,空穴在阳极与有机层之间传输时具有较高的势垒,导致空穴传输效率受限。对电极进行优化与修饰是目前重要的研究点之一,本文将就ITO电极的优化进行研究。本论文采用反应射频磁控溅射法在不同基底温度、氧分压下制备了ITO薄膜,采用射频与直流双靶反应共溅射制备了钒、铬、锰三种元素掺杂的ITO薄膜。用XRD、SEM、UV-VIS、台阶仪、四探针等材料分析技术,研究了温度和氧分压以及不同金属掺杂对ITO薄膜晶体结构、光学性质和电学性质的影响。结果表明:(1)基底温度的改变未能对ITO薄膜晶体的择优生长取向造成影响。通过分析光学吸收数据发现,ITO薄膜的光学带隙随着基底温度的增高而增加。溅射过程中氧分压的增加降低了ITO薄膜的结晶度,同时由于氧空位的减少导致导电性能严重下降。(2)在钒、铬、锰的掺入之后ITO仍能保持沿(222)晶面择优生长,但衍射峰强度有所减弱,表面粗糙度增加。光学性质方面,在掺杂量较低的条件下,掺杂ITO薄膜的光学透过率依然可以保持85%以上,光学带隙得到了明显的提高。掺杂之后的电学性能保持了与未掺杂ITO相当的水平。