本论文结合自适应技术和并行计算技术,针对新型纳米结构半导体器件建立了扩展模型,提出了一套完整一致的自适应并行计算方法,对这些器件进行计算机模拟和特性分析。该方法在器件模拟时,可以自动估计追踪物理量与电特性的变化,自动进行网格加密,达到器件特性分析上自动计算和模拟。基于自适应网格划分技术,有限体积方法,单调迭代方法,误差估计方法和并行计算方法开发出的模拟工具,已经成功的应用到模拟硅基器件,有机发光器件和纳米结构MOS器件。实验结果表明提出的方法在器件特性分析上达到了很高的精度。所提出的理论与算法已开发出一套计算机模拟程序,可以用于不同尺寸,不同结构的新型纳米结构半导体器件的特性分析;理论分析和实际测试的结果都显示了其具有良好的收敛性、高效性,可以实现对新型纳米结构半导体器件快速、精确的计算机模拟。