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近年来由于有机-无机杂化钙钛矿这种新型的半导体材料具有出色的光电特性,如:直接带隙可调,高光学吸收系数,长载流子扩散等,引起了人们的广泛关注。目前这类材料制备的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已经超过22%。随着人们对这种新型材料的深入研究,发现其具有窄光致发光谱及高的光致发光量子产率,这些特性在制备高亮度发光二极管、探测器、激光器、薄膜晶体管中均有应用的潜能。尽管钙钛矿材料具有优越的光电性能,但其内部缺陷仍然存在,这些缺陷制约器件的整体性能。如:钙钛矿层表面形貌差、薄膜荧光量子效率（PLQY）低以及钙钛矿材料本身不稳定等。这些因素依然制约着PeLED的器件性能使得有机-无机杂化钙钛矿材料发光二极管（PeLED）的研究仍旧处于起步阶段。本文针对有机-无机杂化钙钛矿中的CH3NH3PbBr3这种材料,研究了制备工艺对薄膜形貌、结晶性和光学性能方面进行分析;并通过长碳链添加剂对钙钛矿薄膜形貌、光电性能进行了调控。并基于此制备了高效的电致发光器件。研究结果如下:（1）我们着重于提高三维钙钛矿材料的表面形貌,降低薄膜的缺陷。我们通过使用不同溶剂配置前驱体溶液,控制晶粒生长速度来提高薄膜的覆盖率,提高晶粒的结晶性,提高薄膜的光学性质。随后用不同的退火温度,进一步提升薄膜的结晶性,降低钙钛矿薄膜的内部缺陷。（2）在实验（1）的基础上,我们通过向钙钛矿材料中引入丁胺对薄膜进一步修饰。研究发现丁胺加入后,晶粒尺寸明显减小,形成了致密、平整的钙钛矿薄膜。少量的丁胺可以钝化钙钛矿晶粒表面,降低非辐射复合,提高钙钛矿薄膜的PLQY（光致发光量子产率）。同时更致密的薄膜可以降低漏电通道提高薄膜的电学性能。采用这种钙钛矿薄膜,我们制备了高性能的绿光PeLED器件,外量子效率相比引入前提高了3倍。（3）在实验（1）的基础上,我们引入了三种碳链不同的有机铵物质（BABr、PEABr、PBABr）对钙钛矿薄膜进行修饰。结果表明引入含苯环的有机铵,薄膜形貌更致密,光学性质更好。我们将这几种发光材料制备了相应的绿光PeLED器件。EQE分别为:0.04306%,0.06856%,0.10051%。