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过渡金属氧化物NaxCoO2(0
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GaN是一种十分优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下，GaN的禁带宽度为3.4eV，是制作光电子器件，尤其是蓝、绿发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)的理想材料。此外，GaN也是制作高温、高频、大功率器件的理想材料。进入90年代之后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善，一些突破性技术的实现使GaN材料的研究空前活跃，GaN已经成为世界各国
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