随着智能手机、平板电脑的不断普及,社会发现对智能设备需求不断提高使得设备发展趋向功能强大化、轻薄化、节能化,传统制造的PCB电路板无法在单位面积内承载更多的元器件,HDI（高密度内层互联）印制电路板的生产成为必然,它具有强大的布线能力,从整体上缩小PCB的尺寸,HDI印制电路板的生产工艺研究成为热点也是难点;本文主要针对HDI印制电路板精细线路制作及表面封孔工艺进行研究,通过对40μm/40μm线路制作工艺、孔导通以及镍钯金电路板表面封孔剂进行相关实验研究,取得如下研究成果:精细线路制作方面,40μm/40μm线路制作通过对不同设计方式的基板面铜铜厚范围、线路补偿、铜箔材料进行蚀刻因子的测试,并对蚀刻因子进行对比分析寻找其中的差异与规律,从而得到最适合高密集线路即40μm/40μm线路生产的控制参数;选择S型干膜、RTF铜箔作为基本材料,40μm/40μm线路面铜控制范围为18～22μm以及线路补偿值为8μm时线路蚀刻因子基本能够达到3.0以上,小批量测试满足生产要求。导通孔方面,对TU872板材,化学除胶咬蚀量仅0.05 mg/cm~2左右,增加plasma工艺,咬蚀量达到0.30 mg/cm~2且无除胶不净现象,除胶之前增加烤板的除胶速率比不烤板略高;采用化学镀铜与高分子导电膜均能得到质量良好的孔壁铜层,采用化学镀铜导通孔壁再采用电镀加厚铜层其深镀能力可达到86%以上,而采用高分子导电膜其深镀能力达到76%以上,深镀能力优异但较化学镀铜稍差。镍钯金电路板封孔剂方面,以有机磷酸缓蚀剂羟基乙叉二膦酸（HEDP）与氨基三亚甲基膦酸（ATMP）为原料,添加剂烷基酚聚氧乙烯醚（APEO）、卤素钾盐,在水溶液中采用浸渍法在镍钯金电路板（PCB-ENEPIG）表面自组装形成有机皮膜并研究了该有机保护膜的耐腐蚀性能及其形貌。实验结果表明:该复合型有机膦酸封孔剂对PCB-ENEPIG具有较好的缓蚀作用,当HEDP与ATMP以2:1的比例复配时所配置的封孔剂比单独使用时耐腐蚀性能最优,采用1.0 g/L HEDP、0.5 g/L ATMP、10 g/LAPEO、1.0 g/L KI得到的自组装膜耐腐蚀性能最佳;最后在DFT-B3LYP/6-31G*基组水平下对四种有机磷酸进行量子化学计算,分析了缓蚀剂缓蚀机理。