随着5G时代的来临,信息传输量呈爆炸式的增长。当今社会对传输容量大、成本低的光纤通信系统的需求与日俱增。得益于密集波分复用技术(DWDM)的出现与发展,波长可调谐的激光器一直受到国内外学者和研发机构的重视。近年来,一种结构紧凑、低成本的可调谐激光器被提出——V型腔可调谐半导体激光器,并逐渐走向产业化。本文主要对四通道可调谐激光器芯片阵列模组进行了研究。该模组以Ⅴ型腔可调谐半导体激光器芯片阵列为核心,首先将芯片阵列用氮化铝载体进行封装;其次借鉴COB封装模式,先将TEC与PCB转接板进行焊接,再将PCB转接板与TEC都固定于热沉之上;最后将氮化铝载体固定于TEC之上,并将其通过引线键合与PCB转接板进行电气连接,即完成模组的封装。接下来,将封装完成且性能优良的四通道可调谐激光器芯片阵列模组与光纤阵列进行对准耦合,工艺流程包含以下三个步骤:粗调、细调以及点胶固接。耦合完成之后,对模组的相关技术指标进行测试。测试结果表明:同一激光器阵列模组中的四个通道可以实现在同一温度控制下,在1542.97nm～1561.46nm范围内的相同24信道连续调谐。且各信道中心波长偏差小于±0.01nm,边模抑制比大于36dB,功率可调范围可达3dB,波长调谐串扰小于0.2nm。测得的相对强度噪声为-130.093dB/Hz,X方向的发散角为19.6671°,Y方向发散角为21.8844°。所有这些指标都能满足应用要求,该模组将具有一定的社会和市场应用价值。