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第三代化合物半导体碳化硅（SiC）禁带宽度大、载流子饱和速率高、热稳定性强、热导率高、抗辐照性能突出。其抗辐照特性较之Si，Ge，GaAs,InP等半导体材料优异很多；相比于同样作为第三代半导体的GaN材料，SiC与硅工艺兼容，工艺更为成熟，可以获得更小的漏电流，且原子序数小，背散射率低。这些原因使得SiC成为紫外探测器的优选材料。本文首先对当前国内外紫外探测器的现状加以介绍，并简要说明了MESFET型紫外探测器的优势；然后对MESFET型紫外探测器的基本工作原理进行了阐述；进而设计并计算了结构参数；接着简述了4H-SiC MESFET型紫外探测器的工艺流程，同时对器件的版图进行了设计；最后对器件制备所需的工艺进行了详细说明：采用离子注入形成源漏的高掺杂区域；采用多层金属Ni/Ti/Au作为欧姆接触电极；利用ICP刻蚀技术刻蚀台面完成器件隔离；并采用薄Au层作为肖特基接触。