元素掺杂二硼化镁超导体的制备及性能研究

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MgB_2超导体的临界温度(T_c)高达39K,有希望在GM制冷机工作温区(20K~30K)取得实际应用。但与传统的低温超导体相比,上临界磁场(H_(C2))。和不可逆磁场(H_(irr))相对较低,而且MgB_2超导体中缺乏有效钉扎中心,其临界电流密度(Jc)随外加磁场(B)的增加而迅速降低。如何提高MgB_2超导体在高场下的Jc就成为其实际应用的关键问题。围绕提高MgB_2的磁通钉扎能力及临界电流密度这一重要课题,本论文研究了原料组成、制备工艺、元素掺杂及替代对MgB_2超导体的微观结构和超导性
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