【摘 要】
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本文基于介电连续模型和单轴模型，采用雷-丁平衡方程，讨论有限深量子阱中界面声子和局域声子对电子的散射作用.重点讨论室温下，纤锌矿AlxGa1-xN中体横光学声子的双模性对AlxGa1-
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本文基于介电连续模型和单轴模型，采用雷-丁平衡方程，讨论有限深量子阱中界面声子和局域声子对电子的散射作用.重点讨论室温下，纤锌矿AlxGa1-xN中体横光学声子的双模性对AlxGa1-xN/GaN量子阱中电子迁移率的影响. 研究发现，若计入体横光学声子的双模性，则局域光学声子对电子迁移率的贡献随着Al组分x的增加而逐渐增强，但是，反对称界面声子的贡献则随着x的增加而先增后减，此外，对称界面声子的贡献持续降低.同时，在合适的异质结组分x范围内，对称界面声子始终对电子的散射起主要作用，在各支声子的共同作用下，总电子迁移率随x增大呈现先减后增的趋势.与忽略双模性的结果对比，可以看到计入双模性的电子迁移率的理论计算值更趋近于实验值.此外，文章还在较宽的x范围内，给出更精细的电子迁移率随x变化的结果，从而展示三元混晶效应.希望本文工作能为以后的相关理论和实验工作提供指导.
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