随着通信市场的增长,LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)应用需求不断提高。本文提出了一种基于0.18μmCMOS工艺的无EPI(Epitaxy)、在一般衬底硅片上制作的新型LDMOS器件,该器件结构新颖、性能优良且制造成本低。首先,本文利用Synopsys公司的Sen-Taurus软件内建的半导体器件制造工艺仿真、器件性能仿真模块以及图形化分析工具,对基于击穿理论而初步设计的新型LDMOS特性参数、结构及尺寸等进行调试优化,并通过图形化工具分析其耗尽区分布,以观察所调试的工艺参数对器件的影响从而确认最优工艺参数。之后根据仿真结果设计版图,并根据所设计的实验表借助0.18μmCMOS生产线进行流片。最后,测试实际圆片的直流特性、WAT(Wafer Acceptable Test)、可靠性及ESD,并对结果进行分析说明。相比传统LDMOS,本文所研制的LDMOS器件创新处在于省去了外延层的制作工艺,可在一般Si衬底上直接制作,降低了其制造成本,简化了设计及工艺过程,并能与其他MOS器件良好兼容。在计算机仿真设计软件Sen-Tauru的协助下,本文在标准P型Si衬底上完成了漂移区长度小于1.2微米的耐18V高压新型LDMOS的器件设计和仿真,并利用工厂的工艺制造条件进行了在不改变兼容性情况下的流片实验。结果表明,本论文研制的无EPI新型LDMOS可耐18V高压,结构新颖,相比传统LDMOS成本可降低至少30%,并具备ESD有效保护、可靠性优良,可与低压器件实现自主隔离,能满足诸如电源管理电路对18V高压应用的需求,具有一定的先进性和实用性。