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ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料，禁带宽度达3.37eV，ZnO的激子束缚能为60MeV，高于GaN材料的21MeV，更易于实现室温紫外受激发射。ZnO易于找到晶格匹配的衬底材料，外延生长温度低，成膜性强，热稳定和化学稳定性好，因此ZnO材料的研究是近年来光电子材料领域的重要课题。实验采用射频磁控溅射法，选取掺有Al2O3（Al2O3质量百分比为2%）的ZnO靶材，在玻璃载玻片上面制备ZnO:Al(AZO)薄膜，研究衬底温度、溅射压强与不同缓冲层对AZO薄膜的形貌结构、光学与电学性能的影响。本文主要研究以下几个方面：（1）采用磁控溅射法制备AZO薄膜，通过改变衬底温度，来研究温度对薄膜的结构形貌与光电性能的影响，找出薄膜制备的最佳衬底温度。结果发现：在衬底温度为300℃时，薄膜的结晶质量最好，c轴衍射峰最强，薄膜的光透率最高，电阻率最低，其最低电阻率为3.91×10-3·cm。（2）在改变溅射压强条件下制备AZO薄膜，分析溅射压强对薄膜的性能影响。结果发现：当溅射压强为1.0Pa时，具有良好的c轴择优取向，薄膜的形貌结构最佳，薄膜结晶质量较好，具有最低电阻率为4.28×10-3·cm。（3）在衬底上制备了ZnO和Al2O3缓冲层，然后在缓冲层上制备AZO薄膜，研究缓冲层对薄膜性能的影响。结果发现：引入缓冲层的薄膜XRD衍射峰更强，薄膜的结晶质量变好，透过率有所提高，薄膜的导电性能也得到改善，引入ZnO缓冲层制备的AZO薄膜具有最低电阻率为5.8×10-4·cm。