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ZnO:Al(AZO)薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO,成为主要的透明导电氧化物(TCO)材料。相对于ITO材料,AZO薄膜原材料丰富,价格低廉且无污染,是理想的透明导电氧化物材料。目前用以制备AZO薄膜方法有多种,其中磁控溅射技术因其高的沉积速率与均匀性被认为是重要的制备AZO薄膜的技术之一。本论文通过射频反应磁控溅射方法研究了相同条件下,不同Al对ZnO薄膜的结构及光学特性的影响,从而为ZnO薄膜的应用提供一些实验数据和理论基础。主要研究结果如下:采用射频反应磁控溅射方法