非易失性存储器在电子设备中扮演着重要的角色,而铁电栅介质晶体管由于其非破坏性读出、高速、耐辐射等特性,受到了越来越多的关注。近年来,随着可穿戴设备以及各类智能产品的发展,柔性电子成为了研究的热点,而透明电极则是其重要的组成部分。云母凭借其可弯曲特性和原子级的平整表面等优点,成为了很有前景的柔性透明衬底之一。氧化铟锡(ITO)是目前广泛使用的透明电极,与柔性衬底相结合,可以催生出很多新型电子器件,柔性的铁电晶体管器件也是研究的方向之一。本研究基于磁控溅射,首先在长有钌酸锶(SRO)底电极的钛酸锶(STO)单晶衬底上制备了外延锆钛酸铅(PZT)薄膜,并对其结构和铁电性等进行了表征,得到铁电性能较好的样品。在此基础上,利用微加工技术制备了PZT铁电薄膜晶体管。通过对电学性能的分析,可以看到PZT有着很强的调控作用,以氧化锌和氧化铟镓锌两种材料作为沟道的晶体管都可以实现较大的开关比。而通过晶体管结构的调整以及加温的方法,可以减弱界面陷阱电荷对于晶体管特性的影响。随后,在云母上进行了ITO薄膜的制备,探究不同工艺和退火条件对于ITO的影响,对样品进行表面形貌、晶格结构、电学和光学特性以及机械性能的表征。所制备的ITO薄膜有着低电阻率,高透射率以及耐弯曲性。最后,将PZT与云母衬底结合,制备了柔性PZT铁电薄膜晶体管。以钛/铂为底电极、ITO为顶电极的器件可以实现较大的开关比,并保持较低的漏电。