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ZnO材料是一种具有六角纤锌矿结构的半导体材料,作为一种具有宽带隙、低介电常数,高化学稳定性及优异的光电、压电特性的多功能材料应用领域十分广泛。传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近年来,ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比,ZnO薄膜具有生长温度低,激子复合能高(ZnO:60meV,GaN:21～25meV),受激辐射阈值较低,能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发射,制备出性能较好的探测