随着工业化的快速发展和人口不断地增长,人们对能源的需求也越来越大。近年来,超级电容器作为储量器件,由于其高稳定电容、快速充放电、高能量密度及循环寿命长,引起人们的高度重视与研究。超级电容器的性能好坏取决于电极材料的结构与性质,硫化锑（Sb₂S₃）半导体材料由于其制备方法简单、带隙窄及高的稳定性等优点,是超级电容器电极材料发展的一个方向。本文利用水热法和电化学沉积法制备了两种结构的Sb₂S₃,分别是Sb₂S₃纳米材料和Sb₂S₃薄膜材料。并分别对它们进行了电化学性能的研究。水热法实验中,研究了反应温度、时间及表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP）的添加对Sb₂S₃纳米材料的微观形貌和结构的影响。随着反应时间的增加,产物由不规则的棒状逐渐变成细长均匀的纳米棒且分散性也变得更好。当反应时间为24 h时,纳米棒直径大约为150³50 nm,长度约为3⁹μm,且纳米棒主要沿着（211）晶面生长;温度较低或较高都出现了纳米棒变得短小且团聚现象。随着PVP的添加量的增加,其形貌由纳米棒变为束状,直到双菜花状。以不同PVP的添加量下得到的Sb₂S₃纳米材料涂覆在泡沫镍上进行电化学性能测试。可知PVP添加量为0.2 g下的电极在电流密度为1 mA/cm²时,其面积和质量比电容分别为36.93mF/cm²和56.82 F/g,经过1000次充放电后,比容量值仍保留为初始的85%以上。电化学沉积实验中,研究了沉积电位、时间、反应物摩尔比及退火温度对Sb₂S₃薄膜材料的微观形貌和结构成分的影响。当沉积电位为-0.65 V、-0.70 V和-0.75 V时,薄膜整体形貌较好,呈现多孔结构,且晶粒大小相对均匀,薄膜成分约为Sb:S=2:3;薄膜的厚度会随着沉积时间的增加而增加,在5¹0 min时厚度大约为3⁵μm;当SbCl₃与Na₂S₂O₃摩尔比为2:3时制备的薄膜的纯度最高;随着退火温度的增加,薄膜的结晶性能提高,且晶粒也随着增大。以不同沉积电位下制备的Sb₂S₃薄膜作为电极材料,在0.5 M NaSO₄溶液中进行电化学性能研究。结果表明沉积电压为-0.70 V下制备的样品的电容器性能最佳。在电流密度为1 mA/cm²的情况下,其质量和体积比电容分别为117.63 F/g和20.39 F/cm³,经过1000次循环充放电后,其比容量值仍保留为初始的86%以上。