二硫化矾（VS₂）具有实验证实的本征铁磁性。点缺陷是热力学平衡缺陷,其在材料生长过程中难以避免。迄今为止,点缺陷的引入对VS₂的磁学性质的影响尚不清楚。此外,当VS₂从二维尺度过渡到一维尺度时,其磁基态和磁耦合性质的变化也尚不明确。本文采用第一性原理计算研究了单层VS₂的磁学性质随S空位浓度的变化,以及应变对含有点缺陷的单层VS₂的磁性的影响;探讨了单层VS₂纳米带的尺寸变化对其磁基态和磁耦合性质的影响。本文对VS₂的电子与磁学性质的第一性原理的研究为实验以及自旋电子器件的合成提供了新的思路;同时,也为其它磁性材料的研究提供了理论依据。并且得到如下结论:1.单层VS₂的平均原子磁矩随S空位浓度的增加而下降;S空位浓度低于2.00%时呈现出铁磁半导体的特性,而高于12.50%时呈现出反铁磁半导体的特性,介于二者之间呈现出亚铁磁半金属或亚铁磁半导体特性。2.双轴压缩应变不会改变含有点缺陷的单层VS₂的亚铁磁特性,而双轴拉伸应变则将其亚铁磁序转变为铁磁序;当应变由-5%变化到5%时,体系发生了金属→半金属→半导体的转变过程。3.VS₂纳米带具有沿周期方向的长程铁磁序,其铁磁耦合强度随尺寸的降低逐渐减弱。当尺寸降至2 nm以下时,铁磁耦合强度增强。4.除了边缘V原子外,单层VS₂纳米带的V原子的磁矩均大于二维情况下的V原子磁矩。VS₂纳米带的铁磁耦合强度主要是由through-bond机制所决定。