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随着MOS晶体管和MOS集成电路的出现，微电子产业开始迅速发展。1965年，G.Moore总结了MOS集成电路的发展规律：集成电路的集成度每十八个月就会增长两倍-“摩尔定律”。如今，集成电路的发展还是基本遵循该定律继续持续的发展。其中，集成电路的快速发展离不开器件特征尺寸的不断缩小。但是，随着器件的特征尺寸进入纳米量级，通过缩小器件特征尺寸来提高MOS集成电路性能的办法渐渐遇到很多物理问题和工艺流程的限制。对于应用于P、L波段的小尺寸的LDMOS器件也存在同样的问题。由于应变硅技术可以通过调节Si材料的能带结构，提升载流子的迁移率，进而提升MOS集成电路的驱动能力而被广泛关注。首先，针对漂移区的应力可能会降低LDMOS器件的击穿电压的问题，提出引入局部应变的LDMOS器件。对于LDMOS器件来说，耐压主要由低掺杂的漂移区承受，由于应变会使得材料的禁带宽度变窄，当其他条件相同时，若在漂移区中引入太大的应力可能导致LDMOS器件的击穿电压变小，因此应当尽量避免在漂移区中引入太大的应力。通过在LDMOS器件表面不同位置覆盖具有应力的SiN薄膜对LDMOS器件沟道中引入较大的应力，而在漂移区中引入较小的应力，达到在几乎不影响击穿电压的条件下，提升器件的电学特性的目的。而且可以将这种技术引入到小尺寸的LDMOS器件中。其次，将前面的引入局部应变的方法引入到小尺寸的LDMOS器件中。小尺寸的LDMOS器件存在着击穿电压比较小的问题，采用STI结构，将LDMOS器件的击穿电压提升到17-18V，但此时又会导致器件的输出曲线的饱和特性变差，由于SOI技术可以改善器件的饱和特性。因此，结合STI和SOI结构应用于小尺寸应变的LDMOS器件中，达到提高小尺寸LDMOS器件的击穿电压的同时，也不会降低器件的输出特性。