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具有高载流子迁移率、高载流子浓度、高热导率等优良特性的富勒烯、碳纳米管、石墨烯、碳化硅(SiC)等碳基半导体材料可被制成高功率、高耐温和高频器件。其中碳基半导体高频器件被广泛用于微电子电路、电子电力技术等领域。在此设计了双层石墨烯高频场效应晶体管(BLGFET)、碳化硅(4H-SiC) p~+-n-n~+二极管两种碳基半导体高频器件，采用MATLAB模拟工具，计算分析了它们的电学性能中的高频特性，具体研究如下：首先，阐述了BLGFET的电学特性，发现双层石墨烯场效应管的沟道载流子类型、浓度、漏电流、跨导和频率均随狄拉克点电压而改变，这归因于BLGFE的双极载流子特性。同时还发现，器件性能与沟道长度、迁移率有关。优化BLGFET的操作条件，可以达到210GHz的截止频率，这展示了石墨烯场效应管的高频应用。然后，分析了4H-SiC p~+-n-n~+二极管的正向特性和反向恢复特性，发现正向导通压降、反向恢复时间对p~+和n~+区的少子寿命、基区宽度、基区掺杂浓度、p~+有效受主浓度、n~+有效施主浓度等其他条件有敏感性。4H-SiC p~+-n-n~+二极管的反向恢复时间约为10ns。当外电路的反向电压为-200V时，4H-SiC p~+-n-n~+二极管的截止频率接近100GHz，由此说明4H-SiC p~+-n-n~+二极管的高频性能。