模拟电路中广泛地包含电压基准和电流基准。这种基准与电源、工艺参数和温度的关系很小,其性能好坏直接影响电路的性能稳定,性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和关键的要求之一。因此设计高精密的带隙基准源是非常有重要意义的。本文主要研究高性能的带隙基准电压源的设计,并对一款低压线性调节器的高性能带隙基准源进行完整地分析,包括对电路的结构分析,模拟仿真,版图设计。该款高性能的带隙基准电压源通过曲率校正、内部负反馈电路、RC滤波器和快速启动电路实现了良好的温度特性和高电源抑制比。由于BICMOS工艺具有高速、电流驱动能力强、模拟精度高,低功耗,高集成度和高抗扰能力的优点,该款高性能带隙基准电压源基于BICMOS 0.6um工艺。仿真结果表明,高性能带隙基准电压源工作电压为2.7-5.5V,产生1.25V基准电压,静态电流为13.6uA,全电压范围2.7—5.5V内变化小于0.12mV;在-25℃到110℃范围内,温度系数可以达到6.5ppm/℃。基准源有较高的电源抑制比,在100Hz到10MHz范围内,平均电源抑制比(PSRR)已经达到100dB,启动时间为700us。