随着激光技术的发展,人们通过如强聚焦等方法获得束腰光斑半径为波长数量级的高斯光束,对于此类非傍轴高斯光束电场分布特性的分析可为其在实际应用中提供理论基础。本文从扁椭球面坐标系下标量亥姆霍兹方程出发,采用分离变量法和虚设点源法,给出了扁椭球面坐标系下非傍轴LG10模高斯光束电场表达式,通过扁椭球面坐标系与柱面坐标系的坐标变换,给出了非傍轴LGoo模和LG10模高斯光束电场的横向振幅分布和远场振幅分布表达式。基于非傍轴LG00模高斯光束在束腰平面内电场横向振幅下降至其径向坐标r=0处振幅1/e时所对应的径向坐标定义,给出了由扁椭球面坐标系的半焦距d所表达的非傍轴高斯光束光斑半径的计算公式。基于非傍轴LGoo模高斯光束远场电场强度分布二阶矩定义,给出了非傍轴高斯光束远场发散半角正弦值的计算公式。比较分析了低阶(本文中特指LG00模和LG10模)非傍轴与傍轴高斯光束电场的横向振幅分布、远场振幅分布的特性。为了阐明低阶非傍轴与傍轴高斯光束电场分布的相关程度,分析了低阶非傍轴与傍轴高斯光束电场的横向振幅分布匹配效率和远场振幅分布匹配效率随半焦距d的变化特性。给出非傍轴LGoo模和LG10模高斯光束在轴上点附加相位计算公式,通过计算低阶非傍轴与傍轴高斯光束在轴上点附加相位的绝对误差分析其差异性。分析表明,当扁椭球坐标系的半焦距远大于波长时,非傍轴LGoo模和LG10模高斯光束电场的横向振幅分布和远场振幅分布将趋近于傍轴LGoo模和LG10模高斯光束电场的横向振幅分布和远场振幅分布。