多孔硅(Porous Silicon,简写为PS)是一种具有纳米多孔结构的硅材料,孔隙度约为60%-90%,在室温下即可发出可见光,PS的这种特性使之成为制造硅基发光器件的潜在材料,引起了广泛的研究兴趣。本文通过电化学腐蚀法制备多孔硅,制备出的PS样品具有较好的均匀性和一致性,在PS制备过程中发现,腐蚀浓度、腐蚀时间以及腐蚀电流密度这三个条件是影响PS样品形貌和发光特性的主要因素,具体表现为：其他两个条件不变,延长腐蚀时间,PS的光致发光(Photoluminescence,简写为PL)强度表现为先增强后减弱,PL峰位向高能段移动,即蓝移趋势；同样,只改变腐蚀电流密度,固定另两个条件,PS样品的PL强度的变化趋势同样为先增强后减弱,同时伴随着峰位的蓝移；腐蚀液浓度对样品PL强度的影响与上述两个条件相同,然而对PL峰位的影响则更为复杂,表现为当HF酸浓度比较小时,PL峰位向低能段移动,即红移；当HF浓度较大时,PL峰位蓝移。通过多组对比试验,可以确定制备多孔硅的较优条件。本文还研究了稳定性处理对PS性能的影响,文中采用了三种稳定性处理方法,它们对PS样品的影响表现为：经阴极还原处理和浓硝酸处理后的样品的PL强度比未经处理的样品有一定程度的增强；阴极还原-强酸处理是对样品先进行阴极还原处理,再进行强酸处理,其处理后的样品相比经单独处理方法的样品,PL强度又有所增强。三种处理方法后,PS样品的PL峰位均表现为蓝移。