紫精基光电功能材料已在光电转换、光/热致变色、分子开关、信息存储等领域展示诱人的应用前景。在该领域,具有高灵敏响应、高光/热稳定性的光电功能材料是研究的热点,基于阳离子框架包覆阴离子纳米团簇或纳米线的新颖杂化结构有望实现对此类材料性能的突破。联吡啶氧化物具有灵活的配位方式、良好的结构柔性、高熔点,易于形成高稳定性材料。目前,基于联吡啶氧化物阳离子框架的功能材料的研究还刚刚起步,包覆的卤化物纳米团簇或纳米线对材料性能的影响尚不清楚。因此,合成此类化合物,探索其光电功能性质,对开发新型紫精基功能材料具有良好的理论意义。基于此思路,本文将具有光电功能特性的类紫精配体,即联吡啶氧化物与主族金属、稀土金属得到阳离子框架,将第二金属(Ag、Cu、Bi)卤化物团簇或一维纳米线进行包覆复合,得到15个结构新颖的有机/无机异金属杂化分子。其中,化合物1-9中,联吡啶氧化物/主族金属阳离子框架孔道约为12×7A,[Ag(Cu)/I2]nn-、[BiI5]n3n-纳米线包覆在三维孔道之中。该类型杂化结构首次被合成。化合物 10-15 为双核金属紫精[Ln2(dpdo)(DMF)14]6+与(Bi2I9)3-团簇、(Ag12I18)n6n-一维纳米线的杂化体。对所合成的化合物进行了红外、紫外-可见漫反射进行了表征,同时对部分化合物进行了光电流及热致变色测试。15个化合物都表现出一定的光电流,其中化合物11的光电流强度最强,约1.3×10-6A,表明化合物具有一定的光电转换性能。另外,化合物10-15具有优良的可逆热致变色行为,并且化合物10-12的变色温度范围在-196-160℃,是第一例由类紫精构筑通过改变温度实现三种颜色可逆变化的变色材料,且结构稳定,有望成为新型开关和信息存储器件。此外通过变色前后的结构和ESR测定,对变色机理和光电流机理进行探讨,这些可为光电转换材料和变色材料的设计合成提供理论依据。