GaN基材料具有宽的直接带隙、优异的物理和化学稳定性以及日益提高的材料生长／制备技术的特点,使得他非常适于制备高性能的紫外探测器。这些紫外探测器在导弹预警、火焰探测、化学／生物试剂探测、环境监测以及空间通信领域有着非常广泛的应用价值。目前已经报道了各种结构的紫外探测器如光导型、MSM型、肖特基型以及p-i-n型。在这些结构中p-i-n型的紫外探测器由于其低的暗电流、高的响应速度以及高的稳定性而备受瞩目。然而,由于p型GaN层对紫外光的强烈吸收,正入射的GaN基p-i-n型紫外探测器通常有着低的量子效率,尤其是在深紫外波段。在本文中,为了提高GaN基p-i-n型紫外探测器的量子效率,尤其是深紫外波段的量子效率,我们在蓝宝石衬底上用MOCVD的方法生长并制备了一种只有40nm的薄的p型GaN层的p-i-n型紫外探测器,该器件表现出了增强的量子效率,尤其是在深紫外波段。器件表现出了很好的整流特性和低的暗电流,当反向电压增至-10V时仍只有pA的量级,器件具有高的击穿电压,达到了105V。在零偏压时,器件在360nm处出现的峰值量子效率达到了59.4%,并且有一个高达4个数量级的紫外／可见抑制比。即使在280nm的段波长处,该器件仍有高达47.5%的量子效率,这个量子效率要远远大于同时制备的具有更厚的p型GaN层的对比器件。室温时,该器件的探测率经计算高达4.96×1014cm Hz1/2W-1,而这个探测率同以报道的GaN基p-i-n型紫外探测器的最高探测率处于同一量级。