氧化铜是一种重要的金属氧化物半导体材料,由于其在自然界中含量丰富且合成成本低廉,因此得到了广泛的应用。低维的氧化铜纳米结构(零维或者一维)同样得到了应用,它们可以通过直接加热法、湿化学法、金属辅助法等方法合成。研究发现,通过以上方法合成的氧化铜纳米线具有很高的结晶度以及纵横比,这使得一维氧化铜纳米结构具有很多优异的特性,这些特性使氧化铜纳米线在光电器件领域具有很大的应用前景,例如一维氧化铜结构可以用于制备光电探测器、气体传感器、场发射器件以及催化剂等等,尽管有了以上许多研究,但是对于一维氧化铜纳米结构的传输特性以及光电特性的研究依旧很少,而这对于氧化铜纳米器件构建各种光电设备具有重要作用。因此对于一维氧化铜纳米结构的研究不仅有利于单根氧化铜纳米线光电特性的理解,并且对于高性能光电器件的发展具有重要意义。在本论文中,我们先用表面机械研磨(SMAT)处理铜片,然后在管式炉中直接加热铜片合成氧化铜纳米线。合成的氧化铜纳米线具有很高的结晶性,其生长方向为[110]。我们基于单根氧化铜纳米线制备场效应晶体管,其传输特性表现为弱p型导电行为,接着我们基于第一性原理对其进行理论模拟计算,研究发现理想的氧化铜表现为金属特性,在存在铜缺陷或者氧缺陷的情况下表现为p型特性。我们又对其进行光电特性研究,发现氧化铜纳米线对600mn的光最敏感,并且具有很高的再现性和稳定性。通过实验,我们同样观察到基于柔性材料PET基底的光电探测器在不同的曲率下仍具有很好的再现性。以上研究表明氧化铜纳米线在未来的器件应用中具有很大的潜力。