【摘 要】
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本文结合"980nm新型辐射桥结构垂直腔面发射激光器”课题,首先阐述了VCSEL的研究进展及应用情况,并对垂直腔面发射激光器结构特性进行详细介绍。概述了辐射桥结构VCSEL完整的
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本文结合"980nm新型辐射桥结构垂直腔面发射激光器”课题,首先阐述了VCSEL的研究进展及应用情况,并对垂直腔面发射激光器结构特性进行详细介绍。概述了辐射桥结构VCSEL完整的工艺流程,通过优化光刻工艺,设计辐射桥结构光刻版,降低了器件内部产生的焦耳热。分析了VCSEL的发光原理及阈值条件。在刻蚀工艺中,通过改变腐蚀液来实现“钻蚀夹角”结构的消除。利用扫描电镜对芯片进行测试,得到腐蚀液的选择及配比情况对芯片腐蚀深度,腐蚀形貌的影响规律,并给出最佳的腐蚀速率。结果得出：器件引入辐射桥电极后,在温度加到25℃时,阈值电流达到最低点,约为360mA；器件的峰值波长为983.42nm,半峰宽度为0.92nm；当注入电流为1.9A时器件的输出功率达到最高值710mW；电光转换效率为24.98%。
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