太赫兹（THz）科学的发展是由太赫兹源不断推动的，随着量子级联激光器等强太赫兹源的发展，使得实验上探索强太赫兹场下的物理性质成为可能。而且随着实验下各种不同现象的发现，相关的理论探索也不断进步。而太赫兹技术在应用上也不断发展，包括在探测、成像等领域上，同时利用太赫兹场驱动改变半导体性质也得到了研究者的关注。除此以外，半导体内激子的性质也是近来研究的热点，而许多半导体内激子的束缚能正好处于太赫兹频段，因此利用太赫兹技术手段探索半导体内激子动态性质也是一种非常常用的手段。本论文所研究的正是强太赫兹电场驱动下的量子阱性质，其吸收率在太赫兹场的作用下会发生调制效应，其效应包括量子限制斯塔克效应、Franz-Keldysh效应等。而对于单周期强THz场下半导体的时域特性，我们也通过相关理论模型，进行了探索。明显发现半导体的吸收率会随着太赫兹电场波形变化。这一性质也使得太赫兹在光信号处理或是光通信领域有着应用的可能。本论文也就这一可能进行了相关探索，并关注了太赫兹电场的其他属性对这一性质的影响。