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新一代光纤通信系统的发展必然要以新型通信光电子集成器件作为支撑。而通信光电子集成器件研究所面临的最突出问题是半导体材料兼容、结构兼容和工艺兼容，其中如何实现半导体材料异质兼容最为重要。
本论文围绕着光电子集成中的大失配异质兼容(异材料系兼容)问题、集成光电子器件中特殊功能微结构及关键制备工艺、基于特殊功能微结构的新型WDM集成解复用接收器件的研制等开展了大量研究工作，并已取得以下主要研究成果：1、初步形成了新型材料系预测的理论框架，理论上预测了BInAlAs/GaAs、
BInGaAs/GaAs、BGaAsSb/GaAs和BGaPSb/Si四种材料系。2、利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术，开展了基于低温非晶缓冲层的InP/GaAs直接异质外延生长。3、深入研究了基于硫脲溶液表面改性处理的、简单且无毒性的InP/GaAs低温晶片键合工艺.4、利用选择性湿法刻蚀技术攻克了InP-空气隙DBR微结构的制作工艺。5、首次研制成功了基于InP-空气隙DBR微结构和特殊图案透明欧姆接触微结构的高效入光耦合型高速RCE光探测器。6、基于GaAs基楔型结构的制备工艺，我们将Ⅲ-Ⅴ族材料可控自推移动态掩膜湿法刻蚀技术推广到InP基材料系。