半导体激光器的优异性能使其在很多领域里得到了广泛应用,尤其在军事、医疗、工业等领域占据着重要席位。随着近些年科技的发展,对半导体激光器的需求日益增多,甚至在日常生活中都能看到它的广泛应用。半导体激光器的优异性能对驱动电路也有着很高的要求,只有驱动电路完全满足它的需求,才能真正发挥半导体激光器的作用。本文在参考了较多厂家以及国内外半导体激光器驱动电路的发展之后,提出了一套改进方案,并在对电路分析改进后,使得实验结果可以达到设计目标要求。论文首先对半导体激光器的特性进行了分析,在对比了几种驱动方式后,选择了脉冲驱动方式。这种驱动方式不仅能够供给幅值较大的注入电流脉冲,而且能更好地符合半导体激光器的特性,输出较大电流幅值的同时拥有较窄的脉冲宽度。这种驱动方式最终所呈现出来的实验结果与高速开关的选择密切相关,在经过对比后决定采用MOSFET器件DE150作为高速开关元件。窄脉宽形成电路则采用了555定时器加74LS123单稳态触发电路,这两个芯片的配合使用可以根据需要改变脉宽,也可以起到对波形进行整形的作用。其次论文围绕着脉冲宽度和脉冲触发周期与放电时间的配合问题,对储能电路进行了分析。针对放电回路的分析集中在如何能进一步增大脉冲电流的幅值和缩短脉冲宽度上,但是通过对激光二极管的特性分析,它的温度特性也是必须满足的条件,因此又设计了PID温度控制电路来确保温度稳定。最后论文进行实验电路的仿真,并在实验结果的基础上对前文提出的设想进行了验证。虽然通过调试储能电容、可变电阻以及取样电阻的参数,使得某些实验结果基本达到设计目标。但是在某些指标上还是不能取得很好的效果,在对驱动电路添加互补对称电路改进后,所得波形变得平滑且缩短了上升沿时间,基本与设计目标符合。并在更改脉宽之后,测得各个脉宽下的脉冲电流,确保在脉宽可以调节的情况下,保证输出电流幅值达到设计目标。实验结果证明,本文所设计的大电流窄脉冲半导体激光器驱动控制方案能够很好地达到设计目标,满足设计要求。