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掺硼金刚石薄膜(Boron-doped diamond films,BDD)作为一种新型的p型半导体材料,作为阳极材料广泛应用于电化学领域。金刚石薄膜的制备条件影响着金刚石晶体结构,进而影响着其各方面的特性。通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了P型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析不同工艺条件对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,用四探针测试仪分析硼掺杂浓度对BDD电极电阻率的影响,利用循环伏安法(CV