量子点由于其具备良好的吸光性能、高的量子产率、窄的发射半峰宽、长的载流子扩散长度和拥有多激子效应等优异特性在使量子点在光电器件领域中具有非常良好的应用前景。但目前制约量子点光电器件实际使用的最大问题就是器件的稳定性。原子层沉积技术作为一种自限制性的亚纳米级可控的薄膜沉积技术,沉积薄膜具有高度的致密性、均匀性和一致性等优异特性。目前关于ALD技术应用于量子点颗粒的稳定化和表面改性方面的应用较少,且对于ALD前驱体与量子点表面配体的相互作用机理方面的尚不清楚。这制约了ALD技术在量子点光电器件领域的实际使用。本课题基于原子层沉积技术,以典型的氧化铝（TMA,H₂O）ALD沉积工艺为代表,初步探索了ALD前驱体与CsPbBr₃量子点表面的相互作用对于CsPbBr₃量子点性能的影响关系。同时,通过制备CsPbBr₃量子点/氧化硅微球,在量子点/氧化硅微球表面沉积氧化铝薄膜钝化量子点缺陷表面,提高了量子点在实际使用过程中的稳定性。本文的主要研究分为如下几个部分:（1）通过分析CsPbBr₃钙钛矿量子点表面环境下（表面配体浓度和表面配体种类）量子点的性能的变化,发现了常用油酸和油胺配体对于CsPbBr₃钙钛矿量的性能作用关系。通过FTIR,TRPL,QCM等初步探究了氧化铝ALD过程中前驱体与量子点表面的作用关系;并通过改变量子点表面配体（DDAB配体）,提高了在ALD过程中量子点的性能。（2）通过在将制备量子点/氧化硅复合物微球,初步提高了CsPbBr₃量子点的稳定性和分散性,进一步通过在量子点微球表面沉积一层氧化铝薄膜后,进一步提高了CsPbBr₃量子点的光热水和在极性溶剂中的稳定性。通过结合XPS,XRD,PL,TRPL等表征手段,详细分析了ALD沉积前后量子点表面环境变化,晶体结构的变化和表面缺陷的变化,并提出了ALD对量子点稳定化的机理。