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本文主要讨论了由Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9和Fe76Si7.6B9.5P5C1.9两种组分组成的复合结构磁芯的非对称巨磁阻抗(AGMI)效应，包括以下两种磁芯，一种磁芯是中间为具有宽线性巨磁阻抗(GMI)效应的FeCuNbSiB薄带，两端为均含有硬磁相的FeSiBPC薄带或是FeCuNbSiB薄带组成的复合结构薄带磁芯。另一种是中间为软磁性能较好的FeCuNbSiB薄膜，两端为均含有硬磁相的FeSiBPC的薄膜组成的复合结构薄膜磁芯。为了能够获得AGMI效应，本文分别对组成复合结构磁芯的薄带与薄膜进行了单独的研究，结果如下: 一、FeCuNbSiB薄带的宽线性GMI效应 1.FeCuNbSiB薄带在457MPa张应力460℃应力退火1h后，样品的巨磁阻抗曲线具有宽线性，而且相比于其它退火温度与张应力的巨磁阻抗曲线，在近零场附近也是最为灵敏的，其最大阻抗比为590.7％，外磁场的线性区间为930.2A/m，线性系数R为0.9945。 2.对于在460℃不同应力退火的FeCuNbSiB薄带，其巨磁阻抗曲线半高宽随张应力的增加而增加，并呈现出近似线性的单调递增趋势。 二、FeSiBPC薄膜的纵向驱动GMI效应 1.通过用射频磁控溅射法制得了3.0μm厚FeSiBPC薄膜，采用纵向驱动模式，薄膜样品退火温度高于200℃后，均能显现出明显的GMI效应，最佳退火温度为250℃。 2.对于3.0μm厚的薄膜样品，随着薄膜样品退火温度的增加，其GMI曲线的半高宽逐渐减小，灵敏度曲线则是先增加后减小，在样品退火温度为300℃时，达到最大为2.06％/(A·m-1)。 3.用射频磁控溅射法又制得了1.5μm厚FeSiBPC薄膜样品，同样采取纵向驱动模式，发现对于FeSiBPC薄膜样品，当薄膜厚度为1.5μm，退火温度高于510℃时，薄膜样品中含有硬磁相。 三、复合结构磁芯的纵向驱动AGMI效应 1.将含有硬磁相的FeSiBPC、FeCuNbSiB薄带分别与具有宽线性巨磁阻抗效应的FeCuNbSiB薄带组成了复合结构磁芯，在纵向驱动模式下，磁化后的磁芯表现出了非对称巨磁阻抗效应的现象，最大阻抗比分别为284.95％、116.3％，峰值对零磁场的偏移大小分别为93.02 A/m、186A/m。 2.采用开天窗的方式在Si片上镀FeCuNbSiB与FeSiBPC薄膜，然后组成复合结构薄膜的磁芯，其中FeCuNbSiB薄膜的厚度为3.0μm，FeSiBPC薄膜的厚度为1.5μm，分别地经过300℃和519℃氮气保护的退火处理，可以获得非对称巨磁阻抗效应，最大阻抗比为92.96％，峰值偏移大小为11.62 A/m。 3.对于复合结构的薄带和薄膜磁芯，在磁化后表现出来的非对称巨磁阻抗效应，均没有磁滞。