磁电耦合薄膜材料由于具有电极化和磁极化之间的相互调控,在新型高密度电写磁读器件、低能耗的逻辑电路和自旋电子器件等领域具有广阔的应用前景。本文在较为简单的尖晶石结构中寻找突破,以尖晶石结构Co_1+xFe_2-xO₄为基础,构建尖晶石薄膜与无铅高压电系数薄膜复合结构并研究磁电耦合性能,通过对Co₂Fe O₄薄膜A、B位共掺杂设计并实现了室温下具有大磁电耦合效应的单相尖晶石结构纳米薄膜,具体研究内容如下:在基于CoFe₂O₄复合薄膜的研究中,构建了[0.5Ba(Ti_0.8Zr_0.2)O₃–0.5(Ba_0.7Ca_0.3)Ti O₃]–CoFe₂O₄（BZT–0.5BCT/CFO）复合结构的多铁性薄膜,采用磁力显微镜在外加电场作用下原位观测BZT–0.5BCT/CFO复合薄膜由于铁电层与铁磁层之间的应力应变以及外加电场对于电荷密度的改变引发的铁磁层磁畴结构变化,复合薄膜在外加电场为3V时,磁畴改变区域的面积达到49.2%。磁场激发电荷测试中在1Hz的测试频率下,外加50Oe的磁场时样品的最大电极化最高约为0.3μC/cm³。以尖晶石结构Co₂Fe O₄薄膜为基础,研究Mg-Al共掺杂诱导的磁电耦合效应。研究新型单相尖晶石结构磁电薄膜的制备方法,通过拉曼光谱、同步辐射、XPS等测试对Mg-Al共掺杂Co₂Fe O₄薄膜体系的晶体结构、离子价态和离子占位进行分析,结合压电曲线和CAFM测试分析方法,探索薄膜体系中电场致磁效应的产生机制。结果表明,Mg-Al共掺杂Co₂Fe O₄薄膜的磁电耦合效应主要来源于晶格变形和离子迁移。